A napelemek gyártási folyamata

A napelemek konkrét gyártási folyamatának leírása

(1) Szeletelés: Többsoros vágással a szilícium rudat négyzet alakú szilícium lapkákra vágják.

(2) Tisztítás: Hagyományos szilíciumlapka-tisztítási módszereket használjon a tisztításhoz, majd savas (vagy lúgos) oldattal távolítsa el a szilíciumlapka felületén lévő 30-50múlt kárréteget.

(3) Velúr előkészítése: a szilícium ostyán lúgos oldattal anizotróp maratást végeznek, hogy a szilícium ostya felületén velúrt készítsenek.

(4) Foszfor diffúzió: használjon bevonó forrást (vagy folyékony forrást, vagy szilárd foszfor-nitrid pehelyforrást) a diffúzióhoz PN plusz csomópont létrehozásához, és a csatlakozási mélység általában 0.3-0 .5um.

(5) Perifériás maratás: A diffúzió során a szilícium lapka kerületi felületén kialakított diffúziós réteg rövidre zárja az akkumulátor felső és alsó elektródáját, és a perifériás diffúziós réteget nedves maratással vagy plazma száraz maratással távolítják el.

(6) Távolítsa el a hátsó PN plus csomópontot. A hátsó PN plus csatlakozást általában nedves maratással vagy csiszolással távolítják el.

(7) A felső és az alsó elektródák készítése: vákuumpárologtatás, elektromos nikkelezés vagy alumíniumpaszta nyomtatás és szinterezés. Először az alsó elektródát készítik el, majd a felső elektródát. Az alumíniumpaszta nyomtatás széles körben alkalmazott eljárás.

(8) Tükröződésgátló fólia gyártása: A visszaverődési veszteség csökkentése érdekében a szilícium lapka felületén tükröződésgátló fóliát kell bevonni. A tükröződésgátló fólia készítéséhez használt anyagok a következők: MgF2, SiO2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, Ta2O5 stb. Az eljárási módszer lehet vákuum bevonási módszer, ionos bevonási módszer, porlasztásos módszer, nyomtatási módszer, PECVD módszer vagy permetezési módszer .

(9) Szinterezés: szinterelje az akkumulátor chipet a nikkelből vagy rézből készült alaplemezen.

(10) Vizsgálati besorolás: a megadott paraméter-előírások szerint, vizsgálati besorolás.